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TOF-SIMS在源岩单组分研究中的应用
李荣西; 梁汉东
2001
发表期刊地学前缘
期号2页码:421-423
其他摘要应用飞行时间二次离子质谱 (TOF SIMS)对源岩单组分进行原位微分析 ,结果表明有机组分(1)二次离子峰集中分布在低质量数一端 ;(2 )无机离子峰强度普遍高于有机离子峰 ;(3)同类型相邻的有机离子峰之间相差一定单位的质量 (14,即CH2 ) ;(4 )不同有机组分峰强度最大的有机离子相同 ,但它们峰的相对强度差异非常明显 ,借助有机离子峰的相对强度可以反映有机组分的化学结构及其生烃性特征。
关键词烃源岩 单组分 Tof-sims
学科领域矿床地球化学
收录类别CSCD
语种中文
CSCD记录号CSCD:574069
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.gyig.ac.cn/handle/352002/7366
专题矿床地球化学国家重点实验室_矿床地球化学国家重点实验室_期刊论文
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GB/T 7714
李荣西,梁汉东. TOF-SIMS在源岩单组分研究中的应用[J]. 地学前缘,2001(2):421-423.
APA 李荣西,&梁汉东.(2001).TOF-SIMS在源岩单组分研究中的应用.地学前缘(2),421-423.
MLA 李荣西,et al."TOF-SIMS在源岩单组分研究中的应用".地学前缘 .2(2001):421-423.
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