氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响

	氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响
	王安琛 ; 黄忠梅 ; 黄伟其 ; 张茜 ; 刘淳 ; 王梓霖 ; 王可 ; 刘世荣
	2023
发表期刊	光子学报
卷号	52 期号:1 页码:228-239
收录类别	EI
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/14095
专题	环境地球化学国家重点实验室矿床地球化学国家重点实验室
作者单位	1.贵州大学材料与冶金学院纳米光子物理研究所 2.复旦大学表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室 3.海南师范大学物理与电子工程学院 4.中国科学院地球化学研究所环境化学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王安琛,黄忠梅,黄伟其,等. 氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响[J]. 光子学报,2023,52(1):228-239.
APA	王安琛.,黄忠梅.,黄伟其.,张茜.,刘淳.,...&刘世荣.(2023).氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响.光子学报,52(1),228-239.
MLA	王安琛,et al."氧化硅层厚度对Si/SiO2界面电子态结构与光学性质的影响".光子学报 52.1(2023):228-239.