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一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm( OH )CO3 单晶的方法 专利
专利类型: 应用型, 专利号: 201910341661 .3, 申请日期: 2020-02-28,
发明人:  梁文;  李和平;  李瑞;  尹远;  孟勇
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磷在金属相和硅酸盐熔体间分配系数的研究进展 期刊论文
矿物岩石地球化学通报, 2018, 期号: 5, 页码: 989-998
作者:  尹远;  薛卫红;  翟双猛
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  分配系数  金属相  硅酸盐熔体  核幔分异