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一种在高温高压下制备钇掺杂锆酸钡质子导体材料的方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811559860.3, 申请日期: 2021-01-26,
发明人:  李和平;  彭家卓;  严登峰
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一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm( OH )CO3 单晶的方法 专利
专利类型: 应用型, 专利号: 201910341661 .3, 申请日期: 2020-02-28,
发明人:  梁文;  李和平;  李瑞;  尹远;  孟勇
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