GYIG OpenIR  > 矿床地球化学国家重点实验室
纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光
黄伟其;  黄忠梅;  苗信建;  尹君;  周年杰;  刘世荣;  秦朝建
2014
发表期刊物理学报
卷号63期号:3页码:034201-8
摘要
纳米硅结构使能带的带隙展宽, 并形成准直接能带带隙结构. 弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态, 计算表明: 纳米硅弯曲表面上的SiB N, Si=OSiB OP Si键合能够分别在带隙中2.02 eV, 1.78 eV2.03 eV附近形成局域态子带, 对应了实验光致荧光谱(PL)605 nm处的LN 线、693 nm处的LO1线和604 nm 处的LO2 线特征发光. 特别是, SiB Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口, 1310 nm1600 nm 范围形成LYb 线特征发光.
关键词纳米硅结构 弯曲表面效应 局域态 特征线
收录类别CSCD
语种中文
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/9300
专题矿床地球化学国家重点实验室
作者单位1.贵州大学, 纳米光子物理研究所, 贵阳 550025
2.中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室, 贵阳 550002
推荐引用方式
GB/T 7714
黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建. 纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光[J]. 物理学报,2014,63(3):034201-8.
APA 黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建.(2014).纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光.物理学报,63(3),034201-8.
MLA 黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建."纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光".物理学报 63.3(2014):034201-8.
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