| 纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光 | |
| 黄伟其; 黄忠梅; 苗信建; 尹君; 周年杰; 刘世荣; 秦朝建 | |
| 2014 | |
| Source Publication | 物理学报
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| Volume | 63Issue:3Pages:034201-8 |
| Abstract | 纳米硅结构使能带的带隙展宽, 并形成准直接能带带隙结构. 弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态, 计算表明: 纳米硅弯曲表面上的SiB N, Si=O和SiB OP Si键合能够分别在带隙中2.02 eV, 1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带, 对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN 线、693 nm处的LO1线和604 nm 处的LO2 线特征发光. 特别是, SiB Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口, 在1310 nm到1600 nm 范围形成LYb 线特征发光. |
| Keyword | 纳米硅结构 弯曲表面效应 局域态 特征线 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/9300 |
| Collection | 矿床地球化学国家重点实验室 |
| Affiliation | 1.贵州大学, 纳米光子物理研究所, 贵阳 550025 2.中国科学院地球化学矿床化学研究所国家重点实验室, 贵阳 550002 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建. 纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光[J]. 物理学报,2014,63(3):034201-8. |
| APA | 黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建.(2014).纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光.物理学报,63(3),034201-8. |
| MLA | 黄伟其;黄忠梅;苗信建;尹君;周年杰;刘世荣;秦朝建."纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光".物理学报 63.3(2014):034201-8. |
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| 纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光.pd（956KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Application Full Text | |
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